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  • 2020

    9-27

    等離子刻蝕機(jī)一般應(yīng)用于半導(dǎo)體加工領(lǐng)域,而等離子清洗機(jī)則一般應(yīng)用于材料領(lǐng)域。等離子清洗處理可改變材料的表面化學(xué)。因此能改變材料的表面性質(zhì)。例如,大氣或是氧氣等離子常用在聚合物(例如聚苯乙烯,聚乙烯)表面產(chǎn)生羥基。通常表面從疏水性(高水接觸角)改變至親水性(水接觸角小于30度),并增加表面潤(rùn)濕性能。等離子處理也能改變其它材料的表面化學(xué)(表面性質(zhì)),如硅、不銹鋼及玻璃。用低溫等離子體在適宜的工藝條件下處理PE、PP、PVF2、LDPE等材料,材料的表面形態(tài)發(fā)生顯著的變化,引入了多種...

  • 2020

    9-23

    PDMS是一種有機(jī)聚合物材料,廣泛應(yīng)用微流控芯片實(shí)驗(yàn)室。今天我們來(lái)介紹有關(guān)如何進(jìn)行PDMS光刻復(fù)制,也稱為軟光刻工藝,為您提供一些實(shí)驗(yàn)中的小技巧,優(yōu)化您的實(shí)驗(yàn)結(jié)果。01硅烷化模具的制備*使用模具時(shí),必須使其疏水。SU-8模具中的硅通常具有很強(qiáng)的親水性,因此PDMS對(duì)它有良好的親和力,其強(qiáng)度足以使之無(wú)法剝離,只能將模具破壞并從頭開(kāi)始實(shí)驗(yàn)。這里我們使用硅烷功能,一旦在表面上yongjiu粘合,也可使接觸角超過(guò)90°,表面疏水??梢允褂脷怏w或液體處理,即通過(guò)氣體或連續(xù)的液浴將硅烷功...

  • 2020

    9-23

    懸浮活性硅膜厚度測(cè)量,適用于MEMS微機(jī)電系統(tǒng)應(yīng)用,光斑尺寸為25um。簡(jiǎn)介硅基底的傳感器因其高性能、低成本和小尺寸而廣泛應(yīng)用于不同的MEMS微機(jī)電系統(tǒng)。懸浮在圖案上的硅膜或基于SOI的傳感器上的活性硅層的厚度對(duì)于控制終平臺(tái)的性能至關(guān)重要[1]。在這里,我們已經(jīng)在一個(gè)MEMS微機(jī)電系統(tǒng)壓力傳感器上測(cè)量了硅薄膜厚度,使用的是孔徑為250μm的FR-μProbe,該工具安裝在一個(gè)徠卡分模光學(xué)顯微鏡上。使用10倍物鏡進(jìn)行測(cè)量,該物鏡與選定的孔徑大小一起對(duì)應(yīng)于25μm的光斑大小(測(cè)量...

  • 2020

    9-23

    懸浮活性硅膜厚度測(cè)量,適用于MEMS微機(jī)電系統(tǒng)應(yīng)用,光斑尺寸為25um。簡(jiǎn)介硅基底的傳感器因其高性能、低成本和小尺寸而廣泛應(yīng)用于不同的MEMS微機(jī)電系統(tǒng)。懸浮在圖案上的硅膜或基于SOI的傳感器上的活性硅層的厚度對(duì)于控制終平臺(tái)的性能至關(guān)重要[1]。在這里,我們已經(jīng)在一個(gè)MEMS微機(jī)電系統(tǒng)壓力傳感器上測(cè)量了硅薄膜厚度,使用的是孔徑為250μm的FR-μProbe,該工具安裝在一個(gè)徠卡分模光學(xué)顯微鏡上。使用10倍物鏡進(jìn)行測(cè)量,該物鏡與選定的孔徑大小一起對(duì)應(yīng)于25μm的光斑大小(測(cè)量...

  • 2020

    9-22

    旋涂曲線(spincurve)是光刻膠重要參數(shù)之一,他給我們選擇光刻膠提供了重要的指導(dǎo)意義。所以我們來(lái)介紹一下什么是旋涂曲線?怎樣使用旋涂曲線?如何獲得旋涂曲線?什么是光刻膠旋涂曲線?顧名思義,光刻膠旋涂曲線就是在旋涂工藝下,光刻膠的厚度與勻膠轉(zhuǎn)速的關(guān)系曲線。一般來(lái)說(shuō),某一固定固含量的光刻膠在相同的勻膠條件下都會(huì)有一個(gè)相對(duì)穩(wěn)定的膜厚值。這個(gè)厚度隨著勻膠轉(zhuǎn)速的提高而降低。下圖是一個(gè)典型的光刻膠旋涂曲線:影響光刻膠旋涂曲線的因素主要有:光刻膠種類和固含量:一般來(lái)說(shuō),固含量越大,相...

  • 2020

    9-22

    納米制造使用光刻工藝(193nm,EUV,EBL等)涉及廣泛的材料、技術(shù)和相關(guān)的處理步驟,以便生產(chǎn)明確的納米結(jié)構(gòu)。光刻膠的光刻對(duì)比曲線是工藝優(yōu)化常用的參數(shù)之一。光致抗蝕劑的對(duì)比度曲線是顯影后剩余的抗蝕劑膜厚度,作為對(duì)數(shù)繪制的曝光劑量的函數(shù)[1]。測(cè)量方法:在本篇應(yīng)用案例中,使用EBPG-5000+電子束工具以100千電子伏的速度在不同的曝光劑量下對(duì)負(fù)性抗蝕劑進(jìn)行曝光,生成100×100μm正方形的陣列,每個(gè)正方形對(duì)應(yīng)不同的曝光劑量。在顯影步驟之后,使用FR-μ探針顯微光譜儀工...

  • 2020

    9-16

    等離子處理中哪種頻率效果好?中頻?射頻?微波?KHz,中頻產(chǎn)生等離子體能量大,主要是物理作用;MHz,射頻產(chǎn)生等離子體能量和密度居中,為物理和化學(xué)作用;GHz,微波產(chǎn)生等離子體能量小,密度高,主要為化學(xué)作用;40kHz、13.56MHz和2.45GHz等離子體激發(fā)頻率運(yùn)用:激發(fā)頻率為40kHz的等離子體即超聲等離子體清洗是以物理反應(yīng)為主的等離子體清洗,也叫做濺射腐蝕(SPE)或離子銑(IM),其優(yōu)點(diǎn)在于本身不發(fā)生化學(xué)反應(yīng),清潔表面不會(huì)留下任何的氧化物,可以保持被清洗物的化學(xué)純...

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