Plasmionique微波等離子MWPlasma MWPECVD

核心技術(shù)特點

1.微波耦合模式多樣

支持單模腔、多模腔、駐波、表面波及電子回旋共振（ECR）等離子生成機制，適應(yīng)不同工藝需求。

2.等離子源類型

可選水冷ECR（低壓環(huán)境）或碰撞（高壓環(huán)境）等離子源，覆蓋廣泛的工作壓力范圍。

硬件配置

3.緊湊設(shè)計

系統(tǒng)尺寸：寬32英寸（約81厘米）、深22英寸（約56厘米）、高24英寸（約61厘米）。

沉積腔室：直徑8英寸（約20厘米），高度14英寸（約36厘米）。

4.高效真空系統(tǒng)

渦輪泵速度達80-90 L/s，基礎(chǔ)真空壓力低至10??至10?? Torr，確保潔凈工藝環(huán)境。

5.溫控系統(tǒng)

基板支架支持水冷或加熱至300°C，PID閉環(huán)控制，可編程升降溫曲線及輸出限制。

6.兼容基片尺寸

最大支持4英寸（約10厘米）直徑基片。

自動化與智能控制

7.自動化工藝控制

集成可編程200W/450W固態(tài)射頻發(fā)生器，內(nèi)置自動阻抗匹配。

通過PLASMICON軟件實現(xiàn)工藝配方自動化，支持自定義流程。

8.實時監(jiān)控與數(shù)據(jù)管理

10英寸觸摸屏實時顯示數(shù)據(jù)，支持用戶交互。

可選集成光學(xué)光譜儀，用于過程監(jiān)控及閉環(huán)控制。

擴展性與靈活性

9.氣體與流程管理

最多支持2路工藝氣體線路，配備自動排氣系統(tǒng)。

可擴展接口，便于整合第三方設(shè)備或傳感器。

10.應(yīng)用領(lǐng)域

適用于薄膜沉積（如CVD、PECVD）、表面改性、納米材料合成等研究及小規(guī)模生產(chǎn)場景。

可選配高級數(shù)據(jù)采集和遠(yuǎn)程監(jiān)控功能。

Plasmionique微波等離子MWPlasma MWPECVD 實驗室和小型生產(chǎn)中靈活、高效的多功能等離子處理平臺，尤其適合需要精確控制工藝參數(shù)的科研與工業(yè)應(yīng)用。